RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Porównaj
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Wynik ogólny
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
13.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
8.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
13.3
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
8.5
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2213
3417
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRKB 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2933 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Corsair CMW16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14M 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link