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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Compara
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En -8% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18
13.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
8.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
28
26
Velocidad de lectura, GB/s
13.3
18.0
Velocidad de escritura, GB/s
8.5
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2213
3417
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
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Apacer Technology 78.CAGP7.C7Z0B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X74R9W-MIE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
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