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Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
比较
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
总分
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
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需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
26
28
左右 -8% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18
13.3
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
13.9
8.5
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
10600
左右 1.6 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
28
26
读取速度,GB/s
13.3
18.0
写入速度,GB/s
8.5
13.9
内存带宽,mbps
10600
17000
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2213
3417
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965589-005.A01G 8GB
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Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AET4K.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
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