RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
32
En 25% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.6
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.8
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
32
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
18.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
15.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
25600
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3851
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M378A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJW 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FDD2 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4X16GE2666C18S2 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link