RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Compara
PNY Electronics PNY 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Puntuación global
PNY Electronics PNY 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
PNY Electronics PNY 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
28
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.2
13.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.3
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
28
Velocidad de lectura, GB/s
13.8
17.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2274
3090
PNY Electronics PNY 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link