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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
13.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
6.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
24
En -9% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
22
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
13.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2120
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
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