RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
13.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
24
Около -9% меньшая задержка
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
22
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
13.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2120
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905630-052.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston ACR32D4S2S1ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link