RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
34
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
34
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2763
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gloway International (HK) STKD4XMP2400-F 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9905625-011.A00G 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link