RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
34
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
34
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.5
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2763
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1G43EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3733 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT8GC64B8HB0NS-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GDBVR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link