RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
34
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Informar de un error
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
34
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2739
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information TS1GSH64V1H 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Avant Technology J642GU42J5213N1 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBD1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link