RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
34
Autour de 29% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
34
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2739
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Mushkin 996902 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
V-Color Technology Inc. TN416G24D817-VHA/R 16GB
AMD R934G2401U1S 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905713-004.A00G 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link