RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
33
En 27% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.0
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
16
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
19200
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
33
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
25600
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2910
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Hewlett-Packard 7EH99AA# 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link