RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.5
12.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.6
16
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
17.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
25600
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
2910
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11?? 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905744-005.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-G7 4GB
SK Hynix HMT351S6AFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CM4S16GL3200K18K2 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link