RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
34
En 29% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
14.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
34
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2780
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology 78.CAGPP.ARW0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2F4400C19 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston ACR26D4S9D8MD-16 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link