RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
34
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
12.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
19200
Wokół strony 1.11 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
21300
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2780
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.2229BH.001 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD-8G28HP-21P 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMD16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link