RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Porównaj
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Wynik ogólny
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
34
Wokół strony 21% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
27
34
Prędkość odczytu, GB/s
16.7
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
21300
21300
Other
Opis
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2756
2780
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMK32GX4M4B4000C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3000C15 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link