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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
14.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.6
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
24
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
2196
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
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Corsair CMD64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
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