RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
14.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
10.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
24
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
10.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
2196
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link