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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
33
En 27% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.7
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.8
12.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
33
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
19.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
14.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
21300
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3671
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3D1 32GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
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