RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3671
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston XF875V-HYA 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMA82GS6MFR8N-TF 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BDZS 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link