RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3671
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HP26D4U9S8MD-8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-17000CL11-4GBZL 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Jinyu 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link