RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Причины выбрать
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.7
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.8
12.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.7
Скорость записи, Гб/сек
12.5
14.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3671
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link