RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
18
24
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.5
16
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
12.5
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
18
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3564
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FN 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-37 512MB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9965662-010.A00G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link