RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
24
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
18
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3564
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZA 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link