RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
24
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.5
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
18
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3564
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C8FP 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kllisre 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Jinyu 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link