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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
27
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.3
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.8
6.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
24
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
20.3
Velocidad de escritura, GB/s
6.2
17.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1411
4122
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
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