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Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Confronto
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
27
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.3
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.8
6.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
24
Velocità di lettura, GB/s
10.1
20.3
Velocità di scrittura, GB/s
6.2
17.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1411
4122
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB Confronto tra le RAM
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
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