RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Compara
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
60
En 55% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
10.1
7.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.2
2.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
60
Velocidad de lectura, GB/s
10.1
7.8
Velocidad de escritura, GB/s
6.2
2.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1411
1505
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M393A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link