RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Comparar
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Pontuação geral
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
60
Por volta de 55% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
10.1
7.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
6.2
2.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
60
Velocidade de leitura, GB/s
10.1
7.8
Velocidade de escrita, GB/s
6.2
2.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1411
1505
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB Comparações de RAM
CompuStocx (CSX) 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Comparações de RAM
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE3 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link