RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Compara
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
66
En 61% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.3
7.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
66
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.6
8.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1610
1810
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link