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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Compara
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Puntuación global
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
2
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
71
En -87% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.7
1,322.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
5300
En 4.83 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
71
38
Velocidad de lectura, GB/s
2,831.6
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,322.6
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
25600
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
399
3206
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparaciones de la memoria RAM
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C18-8GTZRXB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9905702-017.A00G 8GB
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