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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
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Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Pontuação geral
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.4
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
38
71
Por volta de -87% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.7
1,322.6
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
5300
Por volta de 4.83 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
71
38
Velocidade de leitura, GB/s
2,831.6
16.4
Velocidade de escrita, GB/s
1,322.6
13.7
Largura de banda de memória, mbps
5300
25600
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
399
3206
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Comparações de RAM
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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