RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Compara
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Puntuación global
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
34
En 24% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.8
7.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
34
Velocidad de lectura, GB/s
11.9
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.6
10.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1610
2732
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905702-012.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3000C15 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link