RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Сравнить
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB против Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
-->
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Средняя оценка
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
34
Около 24% меньшая задержка
Причины выбрать
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
11.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.8
7.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
34
Скорость чтения, Гб/сек
11.9
16.4
Скорость записи, Гб/сек
7.6
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1610
2732
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5673EH1-CH9 2GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Samsung 16KTF1G64AZ-1G9P1 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
EXCELERAM D48G8G8H8SS9CJRB22 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link