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Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Compara
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB vs OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Puntuación global
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
30
En 27% menor latencia
Razones a tener en cuenta
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
10.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
22
30
Velocidad de lectura, GB/s
15.1
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
3026
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
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