RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Compara
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Puntuación global
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
56
En 61% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.1
15.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
10.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
22
56
Velocidad de lectura, GB/s
15.1
20.1
Velocidad de escritura, GB/s
10.0
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2423
2455
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMZ16GX3M4X1866C9 4GB
Panram International Corporation PUD31600C118G2VS 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S1MBP-4 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link