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Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
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Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB vs A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Puntuación global
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
18.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
61
En -165% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.8
1,670.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
61
23
Velocidad de lectura, GB/s
3,529.3
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,670.4
17.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
517
3905
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
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Micron Technology 16G3200CL22 16GB
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