RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Compara
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB vs Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Puntuación global
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
61
En -103% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.1
1,670.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
6400
En 3.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
61
30
Velocidad de lectura, GB/s
3,529.3
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
1,670.4
13.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
23400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
517
3310
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-A8KB5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4266C19 8GB
SK Hynix HMT41GU7AFR8A-PB 8GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
INTENSO M418039 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link