RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Compara
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Puntuación global
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
16.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,160.7
11.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
43
En -87% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
23
Velocidad de lectura, GB/s
5,987.5
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,160.7
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
957
2851
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FBD1 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston KF2666C16D4/8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology W642GU42J9266N8 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link