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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
比较
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
总分
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
总分
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
5
16.8
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,160.7
11.8
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
23
43
左右 -87% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
43
23
读取速度,GB/s
5,987.5
16.8
写入速度,GB/s
2,160.7
11.8
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
957
2851
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB RAM的比较
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Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
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Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston ACR26D4U9S1KA-4 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMT128GX4M8C3000C15 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16/16G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
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