RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Compara
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Puntuación global
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
16.3
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,160.7
12.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
43
En -34% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
32
Velocidad de lectura, GB/s
5,987.5
16.3
Velocidad de escritura, GB/s
2,160.7
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
957
2999
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905702-071.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link