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Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Compara
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Puntuación global
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
5
13.5
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,160.7
11.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
43
En -59% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
43
27
Velocidad de lectura, GB/s
5,987.5
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,160.7
11.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
957
2430
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
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