RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Compara
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Puntuación global
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
16.8
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
44
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.6
1,892.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
29
Velocidad de lectura, GB/s
6,181.5
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
1,892.9
12.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
851
3246
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GTZ 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GVKB 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link