RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Compara
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Puntuación global
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
14.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
38
44
En -16% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
1,892.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
38
Velocidad de lectura, GB/s
6,181.5
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,892.9
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
851
3017
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Mushkin 991586 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link