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Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Compara
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Puntuación global
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Puntuación global
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
44
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
1,892.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
36
Velocidad de lectura, GB/s
6,181.5
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,892.9
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
851
2462
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
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Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
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