RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Compara
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Puntuación global
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Puntuación global
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
14.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
44
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.4
1,892.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
6400
En 3.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
36
Velocidad de lectura, GB/s
6,181.5
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
1,892.9
11.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
21300
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
851
2462
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMD64GX4M4C3200C16 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link