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Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Compara
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Puntuación global
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
6
14.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
44
En -47% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.7
1,892.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
23400
6400
En 3.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
30
Velocidad de lectura, GB/s
6,181.5
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
1,892.9
10.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
23400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
851
2935
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
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