RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Compara
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Puntuación global
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
10.2
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
56
En -60% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
2,475.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
8800
En 2.18 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
56
35
Velocidad de lectura, GB/s
4,878.3
10.2
Velocidad de escritura, GB/s
2,475.5
7.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
8800
19200
Other
Descripción
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
598
2124
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGNK.4040B 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMK128GX4M8B3200C16 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2800C16 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link