RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Porównaj
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Wynik ogólny
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
56
Wokół strony -60% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.4
2,475.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8800
Wokół strony 2.18 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
56
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,878.3
10.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,475.5
7.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
8800
19200
Other
Opis
PC2-8800, SSTL 1.8V, CAS Supported: 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
598
2124
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB Porównanie pamięci RAM
Elpida EBE11UD8AJWA-6E-E 1GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link