RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Porównaj
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wynik ogólny
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
15.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
77
Wokół strony -126% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
77
34
Prędkość odczytu, GB/s
3,405.2
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,622.0
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
763
3429
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link