RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Porównaj
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Wynik ogólny
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
32
Wokół strony 38% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.4
19.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
13.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
20
32
Prędkość odczytu, GB/s
19.1
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
13.1
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3252
3726
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB Porównanie pamięci RAM
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2B2133C9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M8FB1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE1 8GB
Apacer Technology 78.A1GA0.9L4 2GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information JM3200HLG-8G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link