RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
50
Wokół strony -72% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
29
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
20.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
3632
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingston KF3600C16D4/8GX 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link