RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Porównaj
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.6
15.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
33
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
29
Prędkość odczytu, GB/s
17.6
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
12.0
11.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2910
2950
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GS6MFR8C-PB 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston KCRXJ6-HYJ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link