RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Comparez
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB vs Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Note globale
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Note globale
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
15.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.0
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
33
Autour de -14% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
29
Vitesse de lecture, GB/s
17.6
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.0
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
25600
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2910
2950
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB Comparaison des RAM
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FBD 16GB
A-DATA Technology AM1L16BC8R2-B1QS 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston HP32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link